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Name | Wert |
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Produktstatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 38 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 14A (Ta) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 10V, 20V |
rds ein (max) @ id, vgs | 10mOhm @ 14A, 20V |
vgs(th) (max) @ ID | 3.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 63 nC @ 10 V |
vgs (max) | ±25V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 3800 pF @ 20 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.1W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
Paket / Koffer | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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