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AON3816_101

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MOSFET 2N-CH 20V 4A 8-DFN

AON3816_101 Technisches Datenblatt

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AON3816_101 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
rds ein (max) @ id, vgs 22mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1100pF @ 10V
Leistung - max. 2.5W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket 8-DFN (3x3)
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Zugehörige Teilenummer

ECH8654-TL-HQ
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ECH8664R-TL-H
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$0 $/Stück
NTJD4001NT2G
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$0 $/Stück
FD6M016N03
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AUIRF7304Q
FW811-TL-E
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$0 $/Stück
SP8M3FU6TB1

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