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AON6403

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MOSFET P-CH 30V 21A/85A 8DFN

AON6403 Technisches Datenblatt

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AON6403 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.86625 -
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Ta), 85A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 196 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9120 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerSMD, Flat Leads
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Zugehörige Teilenummer

SQJA72EP-T1_BE3
IXTP180N10T
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$0 $/Stück
3LN03M-TL-E
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$0 $/Stück
STI150N10F7
IXFH220N06T3
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$0 $/Stück
NVTFS5C680NLWFTAG
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$0 $/Stück
SUM90142E-GE3
SIJH5700E-T1-GE3

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