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AON6572

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MOSFET N-CH 30V 36A/85A 8DFN

AON6572 Technisches Datenblatt

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AON6572 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.31620 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 36A (Ta), 85A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 65 nC @ 10 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3290 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.2W (Ta), 48W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerSMD, Flat Leads
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