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AOTF20N60

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MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3F

AOTF20N60 Technisches Datenblatt

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AOTF20N60 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.42800 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 370mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 74 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3680 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

IRFPC40PBF
IRFPC40PBF
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IRFB4020PBF
IXFH110N15T2
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$0 $/Stück
RCX160N20
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STD5NK50ZT4
SIHU2N80E-GE3

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