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AOWF11N70

AOWF11N70

AOWF11N70

MOSFET N-CH 700V 11A TO262F

AOWF11N70 Technisches Datenblatt

compliant

AOWF11N70 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.95676 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 700 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 870mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2150 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 28W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-262F
Paket / Koffer TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Zugehörige Teilenummer

SIHP17N80AEF-GE3
BUK7E2R7-30B,127
BUK7E2R7-30B,127
$0 $/Stück
PMH600UNEH
PMH600UNEH
$0 $/Stück
FDA24N40F
FDA24N40F
$0 $/Stück
R6520KNXC7G
STW56N60M2
STW56N60M2
$0 $/Stück

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