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NE3512S02-A

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NE3512S02-A

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CEL

HJ-FET NCH 13.5DB S02

NE3512S02-A Technisches Datenblatt

nicht konform

NE3512S02-A Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
Transistortyp HFET
Frequenz 12GHz
gewinnen 13.5dB
Spannungsprüfung 2 V
Nennstrom (Ampere) 70mA
Rauschzahl 0.35dB
aktuell - test 10 mA
Leistung - Leistung -
Spannung - Nenn 4 V
Paket / Koffer 4-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket S02
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Zugehörige Teilenummer

BF904WR,135
NXP USA Inc.
BF904WR,135
$0 $/Stück
BLF6G20LS-110,112
Ampleon USA Inc.
BLF6G20LS-110,112
$0 $/Stück
BF2040RE6814HTSA1
Infineon Technologies
BF2040RE6814HTSA1
$0 $/Stück
BLL1214-35
Ampleon USA Inc.
BLL1214-35
$0 $/Stück
LET9060STR
STMicroelectronics
LET9060STR
$0 $/Stück
MRF9080LR5
NXP USA Inc.
MRF9080LR5
$0 $/Stück
RFM03U3CT(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage
RFM03U3CT(TE12L)
$0 $/Stück
MHT1004NR3
NXP USA Inc.
MHT1004NR3
$0 $/Stück
PTFA260851E V1
Infineon Technologies
PTFA260851E V1
$0 $/Stück
BLF9G24LS-150VJ
Ampleon USA Inc.
BLF9G24LS-150VJ
$0 $/Stück
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