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FQPF6N80T

FQPF6N80T

FQPF6N80T

MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F

FQPF6N80T Technisches Datenblatt

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FQPF6N80T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.28498 -
5111 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.95Ohm @ 1.65A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 51W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

IRLD110PBF
IRLD110PBF
$0 $/Stück
BUK7226-75A118
BUK7226-75A118
$0 $/Stück
FDP7042L
IXTA200N055T2
IXTA200N055T2
$0 $/Stück
APT8052BFLLG
IXTH24N50L
IXTH24N50L
$0 $/Stück
STP28N65M2
STP28N65M2
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