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DMN10H170SFGQ-13

DMN10H170SFGQ-13

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MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

nicht konform

DMN10H170SFGQ-13 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.31150 $0.3115
500 $0.308385 $154.1925
1000 $0.30527 $305.27
1500 $0.302155 $453.2325
2000 $0.29904 $598.08
2500 $0.295925 $739.8125
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 122mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 14.9 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 870.7 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 940mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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