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DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

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MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

nicht konform

DMN2016UTS-13 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.24765 -
5,000 $0.23335 -
12,500 $0.21905 -
25,000 $0.20904 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8.58A
rds ein (max) @ id, vgs 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 16.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1495pF @ 10V
Leistung - max. 880mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-TSSOP
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Zugehörige Teilenummer

APTM50H14FT3G
DMN2008LFU-13
QS8J11TCR
QS8J11TCR
$0 $/Stück
SQJB48EP-T1_GE3
TC6320K6-G
ECH8653-S-TL-H
ECH8653-S-TL-H
$0 $/Stück
PMGD280UN,115
DMP2004VK-7

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