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DMN2100UDM-7

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MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26

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DMN2100UDM-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.17128 -
6,000 $0.16193 -
15,000 $0.15258 -
30,000 $0.14136 -
75,000 $0.13668 -
3000 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 55mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 555 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-26
Paket / Koffer SOT-23-6
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