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DMN31D5UFZ-7B

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MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN

nicht konform

DMN31D5UFZ-7B Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
10,000 $0.10770 -
30,000 $0.09978 -
50,000 $0.09648 -
100,000 $0.09600 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 220mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.2V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.35 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 22.2 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 393mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket X2-DFN0606-3
Paket / Koffer 3-XFDFN
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Zugehörige Teilenummer

IRF840LPBF
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IXFH34N65X3
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STU12N60M2
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C3M0065100J-TR
NTD4810NHT4G
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