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DMN65D8L-7

DMN65D8L-7

DMN65D8L-7

MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23

DMN65D8L-7 Technisches Datenblatt

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DMN65D8L-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.03426 -
6,000 $0.03112 -
15,000 $0.02736 -
30,000 $0.02485 -
75,000 $0.02234 -
150,000 $0.01896 -
677883 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 310mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3Ohm @ 115mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.87 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 22 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 370mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

IRF730PBF-BE3
DMN4040SK3Q-13
FQD5N20LTM
FQD5N20LTM
$0 $/Stück
FQT1N60CTF-WS
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$0 $/Stück
DMT10H010LK3-13
R6020JNZC8
R6020JNZC8
$0 $/Stück
SQ2310ES-T1_BE3
FDBL0240N100
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$0 $/Stück
RM4N650IP
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$0 $/Stück

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