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MMFTN123

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MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

MMFTN123 Technisches Datenblatt

nicht konform

MMFTN123 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.05930 $0.0593
500 $0.058707 $29.3535
1000 $0.058114 $58.114
1500 $0.057521 $86.2815
2000 $0.056928 $113.856
2500 $0.056335 $140.8375
3000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 170mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6Ohm @ 170mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 73 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 360mW
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

SQ1421EDH-T1_GE3
NTR1P02T1G
NTR1P02T1G
$0 $/Stück
APT5015BVFRG
SIHU4N80AE-GE3
DMNH6021SPSW-13
IPB60R600CP
DI030N03D1

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