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G60N04K

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N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@

G60N04K Technisches Datenblatt

nicht konform

G60N04K Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.78000 $0.78
500 $0.7722 $386.1
1000 $0.7644 $764.4
1500 $0.7566 $1134.9
2000 $0.7488 $1497.6
2500 $0.741 $1852.5
2490 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1800 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 65W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252 (DPAK)
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

SUM110P08-11L-E3
STB14NM50N
STB14NM50N
$0 $/Stück
IXFX52N100X
IXFX52N100X
$0 $/Stück
SCT3105KW7TL
DMT3006LFVQ-13
SIHW61N65EF-GE3
DN2535N5-G
FDD86252
FDD86252
$0 $/Stück

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