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IAUC120N04S6L012ATMA1

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IAUC120N04S6L012ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.03000 $2.03
500 $2.0097 $1004.85
1000 $1.9894 $1989.4
1500 $1.9691 $2953.65
2000 $1.9488 $3897.6
2500 $1.9285 $4821.25
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.21mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 60µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 80 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4832 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 115W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

IRL640A
IRL640A
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RM3010S6
RM3010S6
$0 $/Stück
DMN2055U-7
STF8N65M5
STF8N65M5
$0 $/Stück
IXTA140N12T2
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$0 $/Stück
STD7N65M2
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$0 $/Stück
IXFH16N120P
IXFH16N120P
$0 $/Stück

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