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Name | Wert |
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Produktstatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 1200 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 26A (Tc) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 15V, 18V |
rds ein (max) @ id, vgs | 117mOhm @ 8.5A, 18V |
vgs(th) (max) @ ID | 5.7V @ 3.7mA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 21 nC @ 18 V |
vgs (max) | +23V, -7V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 707 pF @ 800 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 115W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | PG-TO247-4-1 |
Paket / Koffer | TO-247-4 |
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