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IMZ120R090M1HXKSA1

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SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4

nicht konform

IMZ120R090M1HXKSA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $15.13000 $15.13
500 $14.9787 $7489.35
1000 $14.8274 $14827.4
1500 $14.6761 $22014.15
2000 $14.5248 $29049.6
2500 $14.3735 $35933.75
1196 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 26A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 15V, 18V
rds ein (max) @ id, vgs 117mOhm @ 8.5A, 18V
vgs(th) (max) @ ID 5.7V @ 3.7mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 21 nC @ 18 V
vgs (max) +23V, -7V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 707 pF @ 800 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 115W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO247-4-1
Paket / Koffer TO-247-4
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Zugehörige Teilenummer

FDB8443
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$0 $/Stück
FKV550N
FKV550N
$0 $/Stück
FDP083N15A-F102
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$0 $/Stück
SIUD402ED-T1-GE3
APT20M18LVFRG
IXFH74N20P
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$0 $/Stück
FQI11N40TU
SI4420BDY-T1-E3
NVMFS5C670NLWFAFT3G
NVMFS5C670NLWFAFT3G
$0 $/Stück
STB9NK90Z
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