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IPP040N06NAKSA1

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MOSFET N-CH 60V 20A/80A TO220-3

nicht konform

IPP040N06NAKSA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.05000 $2.05
10 $1.84800 $18.48
100 $1.48500 $148.5
500 $1.15500 $577.5
1,000 $0.95700 -
332 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.8V @ 50µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2700 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 107W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

SQJ403BEEP-T1_GE3
NTB18N06G
NTB18N06G
$0 $/Stück
STW8N120K5
STW8N120K5
$0 $/Stück
STL38N65M5
STL38N65M5
$0 $/Stück
PMV28ENEAR
PMV28ENEAR
$0 $/Stück
ZXMN2A14FTA
NVTFWS014P04M8LTAG
NVTFWS014P04M8LTAG
$0 $/Stück

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