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IRF7902PBF

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MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC

IRF7902PBF Technisches Datenblatt

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IRF7902PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.4A, 9.7A
rds ein (max) @ id, vgs 22.6mOhm @ 6.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.25V @ 25µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 580pF @ 15V
Leistung - max. 1.4W, 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO
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Zugehörige Teilenummer

SI1555DL-T1-E3
SI7872DP-T1-GE3
SI4622DY-T1-E3
SI5980DU-T1-GE3
SIB911DK-T1-GE3
SH8M13GZETB
FDG6301N_D87Z
FDG6301N_D87Z
$0 $/Stück
IRF7754GTRPBF

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