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IRL2203NPBF-INF

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HEXFET POWER MOSFET

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 116A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 60 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3290 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 180W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IRFR9120NTRL
SI7136DP-T1-GE3
IXTV230N085TS
IXTV230N085TS
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IRF7700TR
IRF6616TR1PBF
ZVN3310ASTOB
STP8NM60FP
STP8NM60FP
$0 $/Stück
IRF530S
IRF530S
$0 $/Stück

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