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IXFA90N20X3

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IXYS

MOSFET N-CH 200V 90A TO263AA

IXFA90N20X3 Technisches Datenblatt

nicht konform

IXFA90N20X3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.88000 $6.88
50 $5.63760 $281.88
100 $5.08750 $508.75
500 $4.26250 $2131.25
1,000 $3.85000 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 90A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 12.8mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 1.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 78 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5420 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 390W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (IXFA)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

APT34N80B2C3G
IXTP14N60PM
IXTP14N60PM
$0 $/Stück
PMPB15XPZ
PMPB15XPZ
$0 $/Stück
SI4894BDY-T1-E3
BUK765R2-40B,118
FDPF3860T
FDPF3860T
$0 $/Stück

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