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IXFB40N110P

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IXFB40N110P

IXYS

MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264

IXFB40N110P Technisches Datenblatt

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IXFB40N110P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $31.62000 $948.6
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 260mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 6.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 310 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 19000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS264™
Paket / Koffer TO-264-3, TO-264AA
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Zugehörige Teilenummer

FDMS8570S
FDA38N30
FDA38N30
$0 $/Stück
SI7121DN-T1-GE3
SI4455DY-T1-E3
NVMFS6H800NT1G
NVMFS6H800NT1G
$0 $/Stück
FQPF9N25CT
IXTA130N15X4-7
IXTA130N15X4-7
$0 $/Stück

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