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IXFH60N20

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IXYS

MOSFET N-CH 200V 60A TO247AD

IXFH60N20 Technisches Datenblatt

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IXFH60N20 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $10.15667 $304.7001
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 33mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 155 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5200 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

PMZB150UNE315
PMZB150UNE315
$0 $/Stück
SI7802DN-T1-E3
SI1067X-T1-GE3
FQD19N10TF
FQD19N10TF
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DKI10526
DKI10526
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STFI34NM60N

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