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IXFH6N120P

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IXYS

MOSFET N-CH 1200V 6A TO247AD

IXFH6N120P Technisches Datenblatt

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IXFH6N120P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $6.62167 $198.6501
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 92 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2830 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

FDD86102
FDD86102
$0 $/Stück
STFI24NM60N
DMP2110U-13
FDMS3500
FDMS3500
$0 $/Stück
HUFA76407P3

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