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IXTA130N10T7

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IXYS

MOSFET N-CH 100V 130A TO263

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IXTA130N10T7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $2.29500 $114.75
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 130A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9.1mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 104 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5080 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 360W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263-7 (IXTA)
Paket / Koffer TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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