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IXTA4N150HV

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IXYS

MOSFET N-CH 1500V 4A TO263

IXTA4N150HV Technisches Datenblatt

nicht konform

IXTA4N150HV Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $20.68000 $20.68
50 $17.39000 $869.5
100 $15.98000 $1598
500 $13.63000 $6815
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 44.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1576 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 280W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AA
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

NDF03N60ZG
NDF03N60ZG
$0 $/Stück
IXFK44N80Q3
IXFK44N80Q3
$0 $/Stück
DMP3028LK3-13
MSJP11N65-BP
RQ1A060ZPTR
SIHD6N65ET4-GE3
DMN2065UW-7
IRFIB7N50APBF

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