Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IXTA50N20P

IXTA50N20P

IXTA50N20P

IXYS

MOSFET N-CH 200V 50A TO263

IXTA50N20P Technisches Datenblatt

nicht konform

IXTA50N20P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.47000 $3.47
50 $2.79000 $139.5
100 $2.54200 $254.2
500 $2.05840 $1029.2
1,000 $1.73600 -
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 60mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2720 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 360W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AA
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

SI6463DQ
SPB03N60C3
FDPF12N60NZ
FDPF12N60NZ
$0 $/Stück
PMV30UN,215
PMV30UN,215
$0 $/Stück
IXFP5N100PM
IXFP5N100PM
$0 $/Stück
CMS03N06T-HF
SIHJ8N60E-T1-GE3

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.