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IXTP42N25P

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IXYS

MOSFET N-CH 250V 42A TO220AB

IXTP42N25P Technisches Datenblatt

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IXTP42N25P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $2.70000 $135
1 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 42A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 84mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2300 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

RM2308
RM2308
$0 $/Stück
R6576KNZ4C13
BUK9Y27-40B,115
PMFPB8032XP,115
GPIHV30SB5L
GPIHV30SB5L
$0 $/Stück
STB6NK90ZT4
IXTP140P05T
IXTP140P05T
$0 $/Stück
NTD6N40-001-MO
NTD6N40-001-MO
$0 $/Stück
R6012JNXC7G

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