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IXTP50N20PM

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IXYS

MOSFET N-CH 200V 20A TO220

IXTP50N20PM Technisches Datenblatt

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IXTP50N20PM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $3.66760 $183.38
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 60mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2720 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 90W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Isolated Tab
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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Zugehörige Teilenummer

STP6N80K5
STP6N80K5
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NVMFS6H801NWFT3G
NVMFS6H801NWFT3G
$0 $/Stück
SQ4840EY-T1_BE3
SIHP8N50D-GE3
NTD4810N-35G
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$0 $/Stück
STD120N4F6
STD120N4F6
$0 $/Stück
FQP2N80

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