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MCG30P03-TP

MCG30P03-TP

MCG30P03-TP

P-CHANNEL MOSFET,DFN3333

MCG30P03-TP Technisches Datenblatt

compliant

MCG30P03-TP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.62000 $0.62
500 $0.6138 $306.9
1000 $0.6076 $607.6
1500 $0.6014 $902.1
2000 $0.5952 $1190.4
2500 $0.589 $1472.5
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 20V
rds ein (max) @ id, vgs 13mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (max) @ ID 2.8V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 29.8 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2050 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 32W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DFN3333
Paket / Koffer 8-VDFN Exposed Pad
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