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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Active |
| Diodentyp | Three Phase |
| Technologie | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - Spitzenrückwärtsspannung (max.) | 1.2 kV |
| Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) | - |
| Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | - |
| Strom - Rückwärtsleckage @ vr | 200 µA @ 1200 V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart | Chassis Mount |
| Paket / Koffer | Module |
| Lieferantengerätepaket | SP1F |
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