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MMRF1018NR1

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MMRF1018NR1

MMRF1018NR1

NXP USA Inc.

FET RF 120V 860MHZ

MMRF1018NR1 Technisches Datenblatt

compliant

MMRF1018NR1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
500 $51.27416 $25637.08
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
Transistortyp LDMOS
Frequenz 860MHz
gewinnen 22dB
Spannungsprüfung 50 V
Nennstrom (Ampere) -
Rauschzahl -
aktuell - test 350 mA
Leistung - Leistung 18W
Spannung - Nenn 120 V
Paket / Koffer TO-270-4
Lieferantengerätepaket TO-270 WB-4
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Zugehörige Teilenummer

ATF-531P8-TR1
Broadcom Limited
ATF-531P8-TR1
$0 $/Stück
PTFA181001GL V1
Infineon Technologies
PTFA181001GL V1
$0 $/Stück
MRFE6S9125NR1
NXP USA Inc.
MRFE6S9125NR1
$0 $/Stück
BLF6G20LS-180RN,11
Ampleon USA Inc.
BLF6G20LS-180RN,11
$0 $/Stück
ON5154,127
NXP USA Inc.
ON5154,127
$0 $/Stück
MRF6S21100HSR3
NXP USA Inc.
MRF6S21100HSR3
$0 $/Stück
MRF7S15100HR3
NXP USA Inc.
MRF7S15100HR3
$0 $/Stück
PD57070S-E
STMicroelectronics
PD57070S-E
$0 $/Stück
MRF7S19210HSR3
NXP USA Inc.
MRF7S19210HSR3
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3SK292(TE85R,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
3SK292(TE85R,F)
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