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PSMN005-55P,127

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NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

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PSMN005-55P,127 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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2000 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 55 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.8mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 103 nC @ 5 V
vgs (max) ±15V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 230W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IRF7854PBF
IRFS3607PBF
IRLL2703
BMS4003
BMS4003
$0 $/Stück
BBS3002-DL-1E
BBS3002-DL-1E
$0 $/Stück
IXFH60N20
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$0 $/Stück
PMZB150UNE315
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$0 $/Stück
SI7802DN-T1-E3

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