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FCPF850N80Z

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MOSFET N-CH 800V 6A TO220F

FCPF850N80Z Technisches Datenblatt

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FCPF850N80Z Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.94074 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 850mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 600µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1315 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 28.4W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

NX3008PBKMB,315
NX3008PBKMB,315
$0 $/Stück
NTMS3P03R2
NTMS3P03R2
$0 $/Stück
IRFBC40ASPBF
IRFBC40ASPBF
$0 $/Stück
SIS407ADN-T1-GE3
GT650N15K
BUK78150-55A/CUF
STF13N60DM2

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