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FDB28N30TM

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MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK

FDB28N30TM Technisches Datenblatt

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FDB28N30TM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.22879 $983.032
1,600 $1.13266 -
2,400 $1.05872 -
5,600 $1.02174 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 300 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 28A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 129mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2250 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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