Welcome to ichome.com!

logo
Heim

FDC6301N

FDC6301N

FDC6301N

onsemi

MOSFET 2N-CH 25V 220MA SSOT6

FDC6301N Technisches Datenblatt

nicht konform

FDC6301N Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.12524 -
6,000 $0.11765 -
15,000 $0.11006 -
30,000 $0.10095 -
75,000 $0.09715 -
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 220mA
rds ein (max) @ id, vgs 4Ohm @ 400mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9.5pF @ 10V
Leistung - max. 700mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket SuperSOT™-6
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

NTHD4401PT3G
NTHD4401PT3G
$0 $/Stück
ZXMN10A08DN8TA
DMN3022LDG-13
ZXMHC10A07T8TA
SI3590DV-T1-GE3
NTJD4152PT1G
NTJD4152PT1G
$0 $/Stück
SI5908DC-T1-GE3
CSD88599Q5DC

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.