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FDMS86182

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MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN

FDMS86182 Technisches Datenblatt

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FDMS86182 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.82804 -
6,000 $0.79737 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 78A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.2mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 150µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 24 nC @ 6 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2635 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 83W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

IXTP52P10P
IXTP52P10P
$0 $/Stück
RQ3E080BNTB
STE48NM50
STE48NM50
$0 $/Stück
SFR9024TF
BSC883N03LSG
SI2325DS-T1-E3
IRFB3206PBF
NVTFS5C673NLWFTAG
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$0 $/Stück

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