Welcome to ichome.com!

logo
Heim

FDP10N60NZ

FDP10N60NZ

FDP10N60NZ

onsemi

MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3

FDP10N60NZ Technisches Datenblatt

nicht konform

FDP10N60NZ Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.82000 $1.82
10 $1.64700 $16.47
100 $1.32340 $132.34
500 $1.02930 $514.65
1,000 $0.85285 -
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 750mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1475 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 185W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

IRC740PBF
IRC740PBF
$0 $/Stück
IXFK21N100Q
IXFK21N100Q
$0 $/Stück
IRFR1018EPBF
PSMN005-55P,127
PSMN005-55P,127
$0 $/Stück
IRF7854PBF
IRFS3607PBF
IRLL2703

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.