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FDS8949

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onsemi

MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC

FDS8949 Technisches Datenblatt

nicht konform

FDS8949 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.39362 -
5,000 $0.37394 -
12,500 $0.35988 -
25,000 $0.35784 -
43 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A
rds ein (max) @ id, vgs 29mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 955pF @ 20V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

DMTH6016LPDQ-13
FDMA1023PZ
FDMA1023PZ
$0 $/Stück
SQJ990EP-T1_GE3
CSD87333Q3DT
NTJD4105CT2G
NTJD4105CT2G
$0 $/Stück
NDH8304P
DMP2045UFDB-13
ECH8653-TL-H
ECH8653-TL-H
$0 $/Stück
SI1016CX-T1-GE3

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