Welcome to ichome.com!

logo
Heim

MTB3N60ET4

MTB3N60ET4

MTB3N60ET4

onsemi

N-CHANNEL POWER MOSFET

MTB3N60ET4 Technisches Datenblatt

nicht konform

MTB3N60ET4 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.87000 $0.87
500 $0.8613 $430.65
1000 $0.8526 $852.6
1500 $0.8439 $1265.85
2000 $0.8352 $1670.4
2500 $0.8265 $2066.25
700 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ -
Technologie -
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart -
Lieferantengerätepaket -
Paket / Koffer -
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

CSD19501KCS
CSD19501KCS
$0 $/Stück
FDD6685
FDD6685
$0 $/Stück
SFT1342-E
SFT1342-E
$0 $/Stück
NDS8425
LP0701LG-G
STP6N65M2
STP6N65M2
$0 $/Stück
IXTY2N100P
IXTY2N100P
$0 $/Stück
FDC5612
FDC5612
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.