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PJA3403_R1_00001

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30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

nicht konform

PJA3403_R1_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.51000 $0.51
500 $0.5049 $252.45
1000 $0.4998 $499.8
1500 $0.4947 $742.05
2000 $0.4896 $979.2
2500 $0.4845 $1211.25
1220 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.1A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 98mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 443 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.25W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

SIHW30N60E-GE3
STD10N60M2
STD10N60M2
$0 $/Stück
IXFN32N100Q3
IXFN32N100Q3
$0 $/Stück
IRFP23N50LPBF
FQA38N30
SI4628DY-T1-GE3
SQJ431EP-T1_GE3

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