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PJA3476_R1_00001

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PJA3476_R1_00001

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

compliant

PJA3476_R1_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.36000 $0.36
500 $0.3564 $178.2
1000 $0.3528 $352.8
1500 $0.3492 $523.8
2000 $0.3456 $691.2
2500 $0.342 $855
475 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 300mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6Ohm @ 300mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 1.8 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 45 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 500mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

SIHP22N60AE-GE3
STP62NS04Z
STP62NS04Z
$0 $/Stück
ZXMP7A17KQTC
IXFN170N25X3
IXFN170N25X3
$0 $/Stück
ECH8656-TL-H
ECH8656-TL-H
$0 $/Stück
FDBL0090N40
FDBL0090N40
$0 $/Stück
IXTA3N120HV
IXTA3N120HV
$0 $/Stück

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