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PJQ4403P_R2_00001

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PJQ4403P_R2_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

nicht konform

PJQ4403P_R2_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.64000 $0.64
500 $0.6336 $316.8
1000 $0.6272 $627.2
1500 $0.6208 $931.2
2000 $0.6144 $1228.8
2500 $0.608 $1520
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9.8A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 15.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1730 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DFN3333-8
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

C3M0045065J1
C3M0045065J1
$0 $/Stück
IRFL024NTRPBF
IXFH7N100P
IXFH7N100P
$0 $/Stück
IRFR7540PBF
RCJ510N25TL
PMZ390UN,315

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