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EMG4T2R

EMG4T2R

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TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

EMG4T2R Technisches Datenblatt

nicht konform

EMG4T2R Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
8,000 $0.09690 -
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
Widerstand - Basis (r1) 10kOhms
Widerstand - Emitterbasis (r2) -
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce 100 @ 1mA, 5V
vce-Sättigung (max) @ ib, ic 300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max) -
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung - max. 150mW
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Lieferantengerätepaket EMT5
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Zugehörige Teilenummer

DDC123JH-7
PUMD6,135
PUMD6,135
$0 $/Stück
PUMH17F
PUMH17F
$0 $/Stück
SMUN5213DW1T1G
SMUN5213DW1T1G
$0 $/Stück
NHUMD3X
NHUMD3X
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PEMD2,115
PEMD2,115
$0 $/Stück
PUMH2F
PUMH2F
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