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EMH11T2R

EMH11T2R

EMH11T2R

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

EMH11T2R Technisches Datenblatt

compliant

EMH11T2R Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
8,000 $0.09690 -
16,000 $0.08835 -
24,000 $0.08265 -
56,000 $0.07980 -
24000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
Widerstand - Basis (r1) 10kOhms
Widerstand - Emitterbasis (r2) 10kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce 30 @ 5mA, 5V
vce-Sättigung (max) @ ib, ic 300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung - max. 150mW
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket EMT6
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Zugehörige Teilenummer

PEMD48,115
PEMD48,115
$0 $/Stück
DCX123JK-7-F
DCX114TU-7-F
PUMH16,115
PUMH16,115
$0 $/Stück
NHUMD12F
NHUMD12F
$0 $/Stück
DCX123JU-7-F
PBLS4003Y,115
UMG2NTR
UMG2NTR
$0 $/Stück
NSVBC143JPDXV6T5G
NSVBC143JPDXV6T5G
$0 $/Stück

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