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RCJ510N25TL

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MOSFET N-CH 250V 51A LPTS

RCJ510N25TL Technisches Datenblatt

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RCJ510N25TL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $2.17000 -
1000 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 51A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 65mOhm @ 25.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket LPTS
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

PMZ390UN,315
2SK1427
2SK1427
$0 $/Stück
HUF76143S3
NVMFS6H852NLT1G
NVMFS6H852NLT1G
$0 $/Stück
RD3G500GNTL
IXTH6N150
IXTH6N150
$0 $/Stück
MCU60N04A-TP
MCAC80N06Y-TP
IXFA130N10T
IXFA130N10T
$0 $/Stück

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