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RS1E280BNTB

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MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

RS1E280BNTB Technisches Datenblatt

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RS1E280BNTB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.24650 -
5,000 $0.23800 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 28A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.3mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 94 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5100 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-HSOP
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

5LN01C-TB-E
5LN01C-TB-E
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R6008ANX
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IRFZ14PBF
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IXFJ20N85X
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$0 $/Stück
PHK13N03LT,518
PSMN045-80YS,115
SFI9Z24TU
FDS6690A
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RM50N200T2
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