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STF22NM60ND

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MOSFET N-CH 600V 17A TO220FP

STF22NM60ND Technisches Datenblatt

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STF22NM60ND Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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500 $0 $0
1000 $0 $0
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2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 220mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1800 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 30W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

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IRFD010
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APT130SM70J
IRFPS35N50LPBF
PHP110NQ08LT,127
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DKI03062
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IXFC26N50P
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