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STL130N6F7

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MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT

STL130N6F7 Technisches Datenblatt

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STL130N6F7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.21438 -
6,000 $1.17450 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 130A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.5mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 4.8W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

BSS119L6433
IRFU224PBF
IRFU224PBF
$0 $/Stück
APT50M50L2LLG
STW45N65M5
STW45N65M5
$0 $/Stück
NTMFS6H864NLT1G
NTMFS6H864NLT1G
$0 $/Stück
NVD5C454NLT4G
NVD5C454NLT4G
$0 $/Stück

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