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STL19N60DM2

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MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV

STL19N60DM2 Technisches Datenblatt

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STL19N60DM2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $2.06625 -
110 items
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 320mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 90W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (8x8) HV
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

IRF6617TRPBF
FQP13N10
FQP13N10
$0 $/Stück
APT58M80J
STQ2HNK60ZR-AP
SIHFL9110TR-GE3
GPI65015DFN
GPI65015DFN
$0 $/Stück
SIR140DP-T1-RE3

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